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气压烧结法 gps)

近几年来，人们对气压烧结进行了大量的研究，获得了很大的进展。气压烧结氮化硅在1 ～10mpa气压下，氮化硅，2000℃左右温度下进行。高的氮气压控制了氮化硅的高温分解。由于采用高温烧结，在添加较少烧结助剂情况下，也---促进si3n4晶粒生长，长期回收氮化硅价格，而获得密度>; 99%的含有原位生长的长柱状晶粒高韧性陶瓷. 因此气压烧结无论在实验室还是在生产上都得到越来越大的重视. 气压烧结氮化硅陶瓷具有高韧性、高强度和好的耐磨性，可直接制取接近终形状的各种复杂形状制品，从而可大幅度降低生产成本和加工费用. 而且其生产工艺接近于硬质合金生产工艺，适用于---生产。

热压烧结法hps)是将si3n4粉末状和小量防腐剂如mgo、al2o3、mgf2、fe2o3等，在1916mpa之上的气体压强和1600℃之上的温度开展热压成形烧结。烧结时添加剂和物相构成对商品特性有非常大的危害。因为严控位错相的构成，及其在si3n4陶瓷烧结后开展适度的热处理工艺，因此能够 得到即便温度达到1300℃时强度达到490mpa之上也不会---降低的si3n4系陶瓷材料，并且抗应力松弛性可提升三个量级。若对si3n4陶瓷材料开展1400———1500℃高溫预空气氧化解决，则在陶瓷材料表层上产生si2n2o相，它能明显提升si3n4陶瓷的耐还原性和高溫强度。热压烧结法生产制造的si3n4陶瓷的物理性能比反映烧结的si3n4要---，强度高、密度大。但制造成本高、烧结机器设备繁杂，因为烧结体收拢大，使商品的规格精密度遭受一定的限定，无法生产制造繁杂零件，只有生产制造样子简易的零件产品，产品工件的机械加工制造也较艰难。